瑞萨电子通过 3.39 亿美元收购 Transphorm，加强氮化镓 GaN 产品战略

瑞萨电子宣布以每股5.10美元的价格，总额3.39亿美元（约24.34亿元人民币）收购美国GaN功率半导体供应商Transphorm。这一收购价格较1月10日收盘价溢价约35%。

官方表示，此次收购将使瑞萨获得GaN内部技术，并进一步扩展其在快速增长市场的业务范围，包括电动汽车、计算、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等领域。

GaN技术具有更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸，从而实现更高效、更轻的结构和更低的总体成本。根据行业研究，每年对GaN的需求预计将增长超过50%。

瑞萨宣布将利用Transphorm的汽车级GaN技术开发新的增强型电源解决方案。其中包括适用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费应用的其他解决方案。这将进一步推动电动车辆和各个行业的能效提升和性能增强。

瑞萨电子还指出，随着全球对高效电力系统需求的增加，相关产业正逐渐转向以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带（WBG）材料。为了适应这一趋势，瑞萨已经建立了一条内部的碳化硅（SiC）生产线，并与供应商签署了为期10年的碳化硅（SiC）晶圆供应协议。这将有助于满足市场对高效电力系统的需求，并推动相关产业的发展。