8 月 4 日，铠侠株式会社正式宣布，与闪迪公司联合推出下一代四层单元（QLC）3D 闪存技术。相比双方的第八代技术，新产品在位密度上提升了最高 60%，达到超过 37Gb / mm² 的水平——这个数字，在存储行业里已经相当亮眼。
具体来看，第十代 QLC NAND 闪存采用了铠侠和闪迪自主开发的 CMOS 直接键合阵列（CBA）技术。简单说，就是把 CMOS 逻辑电路和存储阵列分别在不同晶圆上制造，然后通过高精度的晶圆对晶圆（Wafer-to-Wafer）技术键合在一起。这种设计的好处显而易见：工艺更灵活，集成密度更高。
与第八代 3D 闪存相比，新一代产品在读写带宽上也有了明显提升。更值得注意的是，它成为了业界首款接口速率达到 4.8Gb/s 的 QLC 3D NAND 闪存技术——这个速度，对于需要高吞吐量的存储场景来说，意义不小。
此外，第十代 QLC 3D 闪存采用了 332 层 NAND 堆叠技术，并配合 Toggle DDR6.0 接口与独立命令地址协议（SCA），最终实现了 60% 的位密度提升。从技术路线来看，铠侠和闪迪在 QLC 这条赛道上，确实拿出了实打实的升级方案。
